|作者：孙喆1,† 李明2,††
(1 中国科学技术大学 国家同步辐射实验室)
(2 中国科学院高能物理研究所 北京同步辐射装置)
本文选自《物理》2024年第2期
摘要 随着第四代同步辐射光源的兴起，得益于X射线亮度和相干性的大幅度提升，同步辐射实验技术在谱学、散射和成像等方面取得了显著进步。这些技术能够探测复杂非均匀体系和动态变化过程中的物质结构、成分、化学价态、电子态和磁性等关键信息，在基础科学领域和应用基础研究中发挥关键作用。文章旨在介绍第四代同步辐射光源的线站技术优势，并结合具体例子探讨其在若干物理研究中的应用，同时也讨论了当前存在的工程技术挑战。希望人们能够了解第四代同步辐射光源的光束线站的特点和应用潜力，以促进其在各个科研领域的推广。
关键词 同步辐射，X射线，相干性，光束线
同步辐射是一种由接近光速运动的带电粒子在弯曲的轨道上运动时产生的电磁辐射现象[1—3]。在同步辐射光源装置中，电子通过加速器加速产生了高能量的电子束并在磁场中偏转，由于相对论效应，这些电子会发射出从红外线到X射线的各种波长的光子。类似于阳光照射到物体之后，很多光子携带着物体的颜色、大小和形状等信息进入我们的眼睛一样，在同步辐射光源中，人们利用各种探测器代替了眼睛，使用波长覆盖从原子水平到生物细胞尺度的大范围的同步辐射光子，研究各种环境中的物质。这为物理、化学、材料科学、计量学、地球科学、环境科学、生命科学等各个领域的前沿研究突破和关键技术的实现提供了有力支持。同步辐射实验技术在众多学科领域中的应用和支撑作用的显著提升，得益于同步辐射光源的不断升级。同步辐射光源历经了四代的发展。第一代寄生在高能物理研究的加速器上，性能和时间受到极大限制，发射度比较大(约1000 nm·rad量级)，亮度较低，但仍显示了强大的研究支撑能力。第二代是专门设计用于同步辐射应用的光源，发射度显著降低(40—150 nm·rad)，亮度明显提高，形成了大型综合性的多学科研究平台。第三代是采用大量插入件实现低发射度的专用光源，将发射度进一步降低至10 nm·rad以下，光源的亮度相比第二代提高3个数量级，形成了国家级甚至世界级的综合性研究中心。而当前正在全球范围内建设或升级的第四代光源采用多弯铁消色散结构，将发射度进一步降低至光的衍射极限——“辐射波长/4π”，其亮度比第三代光源高出2—3个数量级。第四代光源除了具备更加优异的亮度外，具有相干性的光子比例也显著提升，为基于同步辐射光源的科学研究带来了新的机遇[4—6]。同步辐射的亮度决定了探测微观物质结构的时空分辨极限，第一、二代同步辐射光源亮度最高在1016 phs/s/mm2/mr2/1‰B.W.水平，第三代同步辐射光源达到1019至1020 phs/s/mm2/mr2/1‰B.W.，而第四代同步辐射光源亮度可达1022 phs/s/mm2/mr2/1‰B.W.以上。亮度的提高能够实现物质结构更高分辨的实时探测。为了感知物质世界的能量、动量、位置和时间等基本的物理参数，同步辐射实验技术不断发展，可以分为三大类：谱学、散射和成像[7，8]。以太阳光作为光源，以我们的眼睛作为探测器的情况下，可以将成像技术类比为我们能够观察到周围物体的大小和形状，而谱学技术对应于我们眼睛看到的不同颜色，也就是具有不同能量/波长的光子。在日常生活中，我们经常遇到的散射现象是丁达尔效应：在雨后云层较多的时候，当太阳的光线穿过大气中的雾气或灰尘，我们在远处可以看到一条条光线被散射的区域。然而，同步辐射实验技术能够大大拓展我们对物质世界的感知能力。在同步辐射装置上，谱学技术通过测量样品的同步辐射光吸收、荧光、光电子发射等特性，从而研究物质的元素组成、化学价态和电子态等特征(图1)[9]。在X射线波段，不同的原子在特定波长(称为吸收边)处会强烈吸收X射线，这些波长是特定原子种类的关键特征。在红外波长范围内，可以激发凝聚态物质或生物样品的特征振动模式，从而揭示分子结构。真空紫外光和X射线能够激发材料表面的光电子，通过测量光电子的能量和动量分布，可以揭示材料的化学成分和电子结构特征。
图1 同步辐射光束线和实验技术示意图[8]
散射技术通常用于研究样品的结构和动力学信息[10—12]。当X射线通过样品时，它们会被样品内部的原子散射，并最终被探测器接收。通过分析这些散射X射线形成的图样，人们可以推断出样品的原子结构。另外，散射还能够提供关于低有序环境中大分子组装(如聚合物和胶体)的结构和动力学的重要信息。结合被测物质导致的入射与散射的光子能量的变化，散射技术还能够探测声子和自旋激发等特征。成像技术与医学的X射线诊断类似，利用探测器记录X射线穿过样品后的强度分布，生成具有高空间分辨率的二维和三维图像，可以提供关于材料的形貌和内部结构等信息[13，14]。基于同步辐射的成像技术已经完全超越了早期单一的结构成像应用，它还能够提供关于样品的化学成分、价态分布以及动态行为等信息[15，16]。第四代同步辐射光源亮度的提升意味着能够将光斑聚焦到微米甚至亚微米的范围，而不会损失信号强度。这使得谱学技术可以普遍获得高空间分辨率，实现“显微”与“谱学”的结合测量，从而可以呈现微米和亚微米尺度上的结构、成分、化学价态、电子态和磁性信息。这对于理解能源、化学、地质、环境、量子材料和材料加工研究中涉及的非均匀体系带来了极大的便利[17]。同时，相干性的显著提高将推动相干X射线衍射技术和成像技术的广泛应用，实现几纳米级的空间分辨率，大幅提升形貌、电子态和磁性的表征能力。此外，相干性的提高也为探索新的时间和空间相关性奠定了基础，将增强X射线衍射技术对快速动态过程的探测能力，实现几十纳秒级的时间分辨率。这些能力的提升将使得更多需要原位和工况条件的实验得以顺利实施，提供实时且精准地描绘物质变化过程的能力。第四代光源的亮度和相干性优势将推动现代物质科学研究向着“海量、复杂的非晶态和非均匀体系在非平衡态或真实反应条件下的动态变化过程”迈进。这些发展将为前沿科学研究和新一代技术研发提供强有力的工具，助力应对能源、环境、通信、先进制造等多个领域的挑战。第四代光源的优势也为先进的光束线和实验线站建设带来了诸多挑战。例如，传输高亮度和高相干性光束将需要开发和安装尖端的光学元件；谱学实验技术的高空间分辨率需要实验站具有更精确、更稳定的样品定位系统，并具备高通量数据采集与处理能力；而工况条件下研究非均匀体系的动态过程将需要更多样的样品操作环境。同步辐射光源本质上是一个大型的光学仪器，聚焦、单色、偏振和诊断等光学技术极为关键。当前X射线光学技术已成为光源应用性能的主要瓶颈，尤其对于第四代光源，X射线光学技术更是落后于加速器技术而成为决定光源性能的关键因素。在第四代光源中，通过精巧的磁铁阵列排布，可利用同步辐射阻尼效应使储存环中电子束团的横向相空间体积缩减到X射线的衍射极限水平，再通过优化Beta函数匹配发光相空间获得高横向相干、高亮度的同步辐射光。然而，光的调制过程不再有阻尼，在不损失光通量的前提下，即使理想的光学元件也只能保持光束的相空间体积，维持其相干性和亮度。因此，第四代光源的光束线设计理念已经从光学设计变革为系统性的技术边界的探索、整合和优化，详见本专题焦毅等人的文章。衍射极限光源的波前涨落比波长还要小一个数量级，对于硬X射线可达10 pm的水平。光学调控元件引入的波前畸变和不稳定性，应远小于这个值才能保持光束的亮度和品质，这对光学技术提出了极为严峻的挑战。例如，同步辐射反射镜一般为几百毫米长，波前精度要求镜面高度误差小于1 nm，斜率误差小于20 nrad。这对光学加工的精度和光学检测的准确度都提出了极高的要求，需要达到原子层水平。没有稳定性就没有精度。同步辐射光学元件需要在复杂甚至极端的多物理场工况下工作。例如，光学元件往往要承受毫米直径的光束中包含的几百甚至上千瓦的功率，在几十米的光束线长度范围内还要面临微振动和环境温度的影响，与此同时，同步辐射的实验方法也常常要求光学元件在实验过程中进行动态调节或扫描。因此，光学调控技术需要满足极为苛刻的要求。为了应对这些挑战，X射线光学技术得到了大力的发展。当前，在光学加工和光学检测领域，曲面镜检测的系统误差和曲面镜加工的全频段超光滑修形是艰巨的挑战，世界各个同步辐射实验室都在积极解决这些问题。目前最尖端的拼接干涉检测技术和弹性加工技术，已经实现了约0.1 nm面形精度的曲面聚焦镜加工和检测。采用柔性机械化学抛光方式加工的平面单色晶体的衍射波前也达到了10 pm水平。此外，衍射极限要求的光栅、多层膜、折射透镜等的加工精度都极具挑战。控制光学元件热变形也是一项挑战。采用液氮冷却技术可以将热变形控制在可接受的水平，但解决液氮冷却引起的振动问题又是另一项挑战。对于掠入射的大尺寸光学元件，液氮冷却还可能会引起光学元件的碳沉积，进而影响其光学性能。因此，对于大尺寸光学元件，可以采用水冷方式控制热变形，水流引起的振动问题可采用液态铟镓合金来隔绝。其中，对于分布较均匀的热载，可以采用水冷巧妙切槽(smart-cut)结构来抵抗热弯曲[18]；对于分布不均匀但静态的热负载，则可根据热载分布设计相应的非均匀水冷结构控制热变形；而对于分布不均匀且动态变化的热负载，控制热变形仍是一项高难度的挑战：在镜子内部通水的冷却方式可以大幅降低热变形，但制造这种镜子的技术又限制了表面面形精度。目前，结合动态分布式加热的冷却方案可能是一种较好的解决方案。此外，波前的静态或动态补偿技术，在第四代光源中越来越受到重视，这些技术可以矫正由于光学元件加工、热变形或力学变形导致的波前畸变。主动变形镜的研究越来越多，其长期稳定性控制以及结合波前检测的快速自适应光学仍是需要解决的关键技术。为了提高光学元件面形和姿态的稳定性，一方面需要提高环境的稳定性，另一方面也需要对光学元件进行热结构设计和高刚性设计。第四代光源亮度大幅提高，很多同步辐射实验需要光学元件的快速动态扫描。例如，快速吸收谱学需要单色器能够进行快速能量扫描，纳米探针扫描成像往往也需要光学聚焦元件进行横向快速扫描。在这些动态扫描过程中，稳定性控制变得尤为困难。近年来，基于高速电磁反馈的机电一体化技术取得了较好的动态稳定效果，获得了同步辐射领域的广泛关注。在第三代同步辐射光源中，利用镜子、波带片和多层劳厄透镜等光学元件可以将光束聚焦至10 nm的光斑，然而只有少量的X射线通量被利用。第四代光源拥有尺寸更小、发射度更低的光源点，这有利于使光束线更高效地利用X射线通量进行聚焦，因此可以在样品上获得比现有亮度高两到三个数量级的聚焦光斑。对于谱学技术来说，其空间分辨率取决于样品上的光斑大小。与第三代光源相比，在第四代光源上，需要充分利用X射线光通量的谱学技术可以将样品处的光斑从数十微米缩小至几微米。对于已经在第三代光源得到应用的具有纳米级光斑的谱学技术来说，单位面积内的光通量也将得到数倍提升。因此，光电子能谱、X射线吸收谱、X射线发射谱、共振非弹性X射线散射等诸多类型的谱学技术，在空间分辨率和数据采集效率等方面都有显著提升。这有利于在原位与工况条件下获得高品质的信号，并能进一步拓展相关实验技术的研究领域。我们以角分辨光电子能谱(ARPES)为例介绍第四代光源上谱学线站的性能提升。ARPES技术在量子材料的表征方面发挥着至关重要的作用[19]，通过测量能带，即电子态的能量与动量色散关系，揭示了量子材料的电、光、磁和热等方面的性质根源。然而，在第三代光源上，空间分辨率的不足限制了这一技术的广泛应用。在量子材料中，大量原子和电子的集体行为受到它们之间复杂和动态的多体相互作用的支配，导致了特定空间尺度和时间尺度上的电子态、磁性、微结构等呈现不均匀性。为了测量电子态的自旋自由度信息，空间分辨率需要小于具有自旋极化一致性的磁单畴的尺寸，才能更进一步理解电子的行为。精确测量不同区域的能谱可以揭示微观区域的不均匀性与宏观物理性质的关联。当光斑较大时，采样区域包括了多个组分，难以呈现局部的单一电子态特征。在第三代光源上，利用菲涅耳波带片对极紫外同步辐射光进行聚焦可以获得120 nm的光斑[20]，实现高空间分辨率的纳米角分辨光电子能谱(nano-ARPES)实验技术。空间分辨率的提高对于理解原型器件的操作和量子材料的物性调控具有重要意义。图2是一个简单的示例。当在双层石墨烯上施加电压让电流通过时，不同位置的电子能带在能量方向上有明显差异，这对应于不同电势下的电子系统[21]。根据每一点上能带的相对能量差异，可以确定电流通过时石墨烯样品上不同位置的电势。这项研究表明，在原位操控材料的电子特性时，nano-ARPES为精准的高空间分辨率电子结构测量提供了必要的支持。利用场效应管构型的电荷掺杂、机械应力驱动电子结构的改变等原位的量子材料调控技术，nano-ARPES可以促进对一些基本问题的理解，如量子多体相互作用、多个物相的竞争与共存、各种量子态的集体激发性质等。
图2 (a)利用nano-ARPES测量双层石墨烯异质结器件的示意图，光子经过菲涅耳波带片被聚焦到样品上，然后从样品上出射的光电子被探测器收集；(b)当电流通过时，不同位置的能带测量结果[21]第四代光源的高亮度和相干性将极大地提升空间分辨率和单位面积上的信号产额。举例来说，正在建设中的合肥先进光源的极紫外波段经过波带片聚焦之后，nano-ARPES实验样品上的光子数是当前第三代光源上的同类型实验站的7倍，这将大幅度提高数据的信噪比和实验效率。许多在第三代光源广泛应用的谱学实验技术也可以应用于第四代光源的线站，利用高亮度的聚焦X射线以及高空间分辨率的优势进行成分、价态、磁性和电子态的表征。结合二维逐点扫描的数据采集方式，为谱学测量增加了空间的维度，实现了“谱学”与“显微”的功能。第四代光源能够在前所未有的细节水平上探索小样品区域，在研究非均质体系和器件等方面具有显著优势，从而可以揭示多个量子自由度在微观尺度上的相互作用机制。在散射实验中，X射线的相干性差异会导致探测信号显著不同。图3展示了一束具有空间相干度ξ的X射线照射在一个无序排列的纳米球体系上所产生的散射信号。当该无序体系被非相干X射线照射时，其空间相干长度较小，散射产生的二维图案和一维散射信号的强度包含了少量与纳米球平均大小和形状相关的特征峰。而当X射线具有良好的相干性，其空间相干长度较大时，二维散射图案会出现许多斑点。这些斑点被称为散斑，是由于无序排列纳米球散射的光的波前之间的相互干涉所形成的，而这些斑点也对应于一维散射谱中的细小尖峰。因此，散斑图案既包含了与非相干X射线相同的形态信息，即物体的大小和形状，同时也编码了纳米球在空间中的相对位置。因此，利用散斑可以确定无序体系中的结构特征[22]。
图3 X射线小角散射(SAXS)实验 (a)非相干X射线照射下无序纳米球体系的二维和一维散射图案；(b)相干X射线照射下产生的二维和一维散射图案[8]。其中，左侧是无序纳米球体系的示意图，中间是二维散射图案，右侧是一维图案在第三代光源上，由于X射线的相干性较低，散斑图案会被抑制，因而散射信号形成的强度变化呈现平滑的弥散分布。然而，利用第四代光源所提供的具有空间相干性的X射线，散斑图案将得到保留，其强度分布可以反映样品的精确结构[23]。如果样品不是静态的，而是存在动态变化，那么散射图案也将发生相应的演化。基于相干X射线散射的X射线光子相关光谱学(X-ray photon correlation spectroscopy，XPCS)可以利用归一化强度相关函数来分析一系列散斑图案随时间或外部变量(如磁场、电场或温度)的变化，从而提供有关样品微观动态行为的信息[24]。由于相干衍射所产生的对比度可以来自化学、磁性和结构的特征，因此XPCS能够揭示多种复杂现象的时间依赖性，包括复杂自组装、畴壁运动，以及磁性与电子态的涨落等[25—28]。图4展示利用XPCS技术在铬(Cr)中探测电荷/自旋密度波的量子涨落。散斑图案与磁畴构型密切相关，随着时间流逝，散斑的关联性逐渐衰减，这意味着磁畴构型发生了变化。在较低温度下可以看到，散斑关联性的时间依赖性不再随温度的变化而变化，这说明高温时磁畴壁的运动受到热效应的影响，而在较低温度下量子涨落的作用更显著。
图4 (a)在同步辐射装置上进行散斑实验的布局示意图；(b)散斑的强度相关性随温度和时间的变化；(c)在T=17 K时一系列的散斑图案，采集数据的时间间隔约为1000 s[24]相干X射线散射技术用于研究动力学现象时与泵浦—探测技术有所不同。在泵浦—探测技术中，被研究的物理过程会有选择性的受到外部的重复激励，而XPCS探测结果则展示了在没有外部激励的情况下物质体系的变化[29]。在实际应用中，XPCS测量的时间分辨率与相干X射线通量的平方成正比，而相干通量又与光源亮度的平方成正比。随着衍射极限储存环光源的升级，相干X射线通量可以提高近3个数量级，从而XPCS的时间分辨率可以提高5到6个数量级，从理论上讲，可以达到纳秒级分辨率。近年来，在同步辐射装置上，X射线成像技术的空间分辨率得到了显著提高。硬X射线波段的成像已经实现了优于30 nm的三维空间分辨率，而软X射线波段的成像空间分辨率达到10 nm的水平。利用同步辐射能量连续可调的优势，X射线成像技术能够与谱学研究手段相结合。当X射线能量连续改变时，样品中不同化学成分会产生对应的不同信号。因此，一系列在不同X射线能量下采集的成像数据相当于一系列具有纳米级空间分辨率的X射线吸收谱。多方面的光源优势和技术进步促使成像技术进一步发展，使其能够获取三维结构、化学成分与价态、动态过程等信息，从而拓展了X射线成像技术的应用范围。X射线成像可分为三种类型：扫描显微镜、全场显微镜和相干衍射成像，如图5所示。在第三代光源上，成像技术以全场成像和扫描成像为主。前者类似于透镜放大的方式，利用X射线光学元件放大样品的结构，并在探测器上成像。这种方法最主要的光学元件是波带片，波带片的最外环宽度决定了这种放大成像方法的空间分辨率。扫描成像是利用聚焦元件将X射线聚焦成小的焦斑，然后通过逐点扫描方式获得样品的二维信息，其空间分辨率极限对应于聚焦光斑的尺寸。
图5 (a)全场透射X射线显微镜示意图；(b)扫描透射X射线显微镜示意图；(c)相干衍射成像示意图；(d)相位恢复算法在实空间和倒空间之间进行迭代[14，31]在第四代光源上，显著提升的光源相干性非常有利于促进相干衍射成像技术的发展[30—32]。相干衍射成像技术与前面提到的两种成像类型不同，并不直接形成图像，而是利用相干光照射样品，通过探测器收集样品的远场散射信号。X射线和样品相互作用产生的衍射信号携带着与样品的电子密度和晶格结构相关的信息。虽然探测器只能记录衍射强度而丢失相位信息，但当入射X射线具有足够的空间相干性时，可以利用衍射信号进行相位恢复。借助于空间相干性优良且准直性好的第四代同步辐射光源，根据散射信号与样品的傅里叶变换具有对应关系，结合相位恢复迭代算法和求解逆问题，相干衍射成像技术可重建样品内部的电子密度与结构信息[33]。该类成像技术的图像分辨率不依赖于聚焦光束的大小，从而克服了X射线光学元件对分辨率的限制，实际的分辨率最终由相干X射线通量、波长和样品稳定性决定。相干衍射成像技术可以获得有关成分、化学价态、磁性和晶格应变等信息，在表面与界面、无序材料以及异质材料等复杂系统中具有重要应用价值[34，35]。由于与现有的扫描透射X射线显微镜的配置非常类似，层叠相干成像(Ptychography)是相干衍射成像的多个技术方案中比较易于实施的一种。如图6(a)所示，通过在样品上扫描聚焦光束并收集一系列相干衍射图案，逐点扫描时存在重叠区域，这种过采样带来的额外冗余非常有利于图像重建[36]。在图6(a)的示例中，利用与Gd元素的M5吸收边匹配的光子能量，可以从衍射图案中重建出Gd/Fe多层薄膜中的磁畴结构。与现有的扫描透射X射线显微成像技术相比，Ptychography具有更高的空间分辨率。Ptychography可以生成二维图像，在二维过采样扫描与样品旋转的基础上，可以实现Ptychography与X射线CT技术的融合，从而实现三维成像。例如，图6(b)展示了一个集成电路的三维重构图像，其分辨率达到14.6 nm[37]。这意味着可以利用Ptychography对集成电路进行快速和非破坏性成像，解决芯片检测的问题，以及在芯片故障分析和生产工艺优化中得到应用。
图6 (a)利用Ptychography技术测量Gd/Fe多层薄膜中磁畴结构的示意图；(b)利用相干衍射成像技术获得的集成电路三维精细结构图像[36，37]
第四代同步辐射光源带来技术优势的同时，线站的设计也应充分考虑如何利用这些优势，并解决与这些优势相伴生的新问题[38]。线站的设计方面，在第三代光源的设计思路基础上，应进一步针对第四代光源的特点进行优化和改进。特别是在原位和工况研究方面，充分利用第四代光源的优势需要新的样品环境设计，复现实际的工艺条件，从而确保观察到真实的机制和动力学行为[39，40]。保持相干性和聚焦光斑的稳定性是保障实验顺利进行的基础。第四代光源的谱学、成像与散射实验技术对光学元件、样品台和探测器的定位稳定性提出了更高的要求，因此机械稳定性成为关键指标。例如，利用软X射线进行相干衍射成像的实验站需要将样品与光斑的相对不稳定性控制在2 nm以下。线站设计时应充分考虑这方面问题，并评估是否需要搭建棚屋以进一步抑制环境温度和气流扰动对机械稳定性的影响。此外，在实验过程中需要持续监测和修正样品台在变温过程中由热胀冷缩引起的样品位置变化。由于高亮度X射线会导致光学元件的热变形，还需考虑是否采用特殊的插入件降低热负载。如正在北京建设的高能同步辐射光源HEPS(High Energy Photon Source)项目中，ARPES线站采用APPLE-Knot型椭圆极化波荡器插入件降低光学元件上的热负载，从而提高光束的稳定性[41]。考虑到聚焦光斑的高光通量，必须减轻由光束高功率密度引起的样品结构和化学变化的影响。已经证实，许多材料对强X射线光束非常敏感，这在软物质和生命科学研究中尤为突出。因为这些材料的特性通常与分子尺度的结构密切相关，而光电子引起的化学键变化会显著改变分子尺度的结构。因此，在设计上需要考虑具体问题，例如限制曝光时间或剂量、降低样品温度，以及实施自动化系统实现快速样品切换和高效数据采集等。这些措施将有助于减轻光束高功率密度对样品的影响，并提高实验的可靠性和准确性。显微与谱学技术的融合将显著增加实验产出的数据量，给数据采集和分析技术带来了挑战。为应对快速增长的数据量，相关技术正在不断发展，并更有针对性地提供精准的数据和初步分析结果，从而提高实验效率，并提升成果的数量和质量[42]。因此，线站设计将充分利用正在进行的仪器和方法的发展，从光学设计、探测器、设备联动，以及数据处理与分析等方面系统地提高实验站的性能。此外，自动化在样品测量中也起着重要的作用，将显著提高同步辐射的机时利用效率。目前，科学和工程领域的研究已经进入一个新的时代。科学家们迫切需要在各种空间尺度和时间尺度上加深对复杂材料和物理/化学过程的理解，超越对平衡现象的探索，跳出以理想化材料和模型为基础的体系。为了实现这些目标，需要借助衍射极限储存环光源的高相干性和高亮度，以发现新的物理和化学性质、新的结构和功能等，从而推动科学与技术的前沿。然而，要实现这一切，仍然需要进一步发展实验技术，并在束线光学、样品制备、样品环境、探测技术以及数据管理和分析等多个方面进行综合完善，以发挥第四代同步辐射光源的全部潜能。
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中国物理学会期刊网 2024年3月1日 北京 发布
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