10月24日凌晨，中国科学院高能物理研究所加速器中心完成了环形正负电子对撞机（CEPC）650MHz单cell超导腔掺氮（N-doping）后的垂直测试(2.0K)。

　　与掺氮前相比，这只超导腔（编号：650S1）低场下（5~10MV/m）的无载品质因数Q₀值明显提高，加速梯度Eacc在10MV/m时，Q₀为7.0x10¹⁰，这是国内首次观察到掺氮对该频段超导腔Q₀值的提升现象。超导腔掺氮是加速器领域最近几年发展起来的新技术，可以降低超导腔的表面电阻、提高Q₀值，已被美国的LCLS-II加速器所采用。

　　从2015年CEPC所创新经费启动超导腔的掺氮研究开始，经过三年努力，这项研究工作终于有了实质性进展。下一步，将通过改进掺氮工艺、电抛光等方法，逐步提高掺氮超导腔在高场下（>10MV/m）的Q₀值，以降低超导腔的功耗，从而节省CEPC低温系统的造价和运行费用。

　　CEPC掺氮超导腔垂直测试结果（2.0K）