6月12日，环形正负电子对撞机（CEPC） 650 MHz 2-cell超导腔在北京大学成功完成了掺氮后的垂直测试，测试结果表明：在2K温度下，加速梯度Eacc达到22MV/m时，Q值超过6E10（对应的微波表面电阻仅为4.7nΩ），超过了CEPC的垂测指标（Q=4E10@Eacc=22MV/m），创历史新高，也与国际领先水平相当。 

　　测试过程中，650 MHz 2-cell超导腔首先经过缓冲化学抛光（BCP）处理，然后完成了掺氮前的垂测；随后，科研人员对其进行了掺氮处理，并完成了掺氮后的垂测，Q值获得了大幅提升，低场下（~10MV/m）的Q值达到了8E10，并在25MV/m处失超。下一步，科研人员将采取电抛光（EP）等手段提高该超导腔的加速梯度。 

　　本项研究工作得到了环形正负电子对撞机(CEPC)预研项目、先进光源研发与测试平台(PAPS)项目的大力支持。 

　　CEPC 650 MHz 2-cell超导腔垂直测试结果