高性能聚合物材料的合成及在场效应晶体管中的应用
2013-03-10 | 浏览次数: | 文章来源: | 【大 中 小】
图1 共轭聚合物PDVT-8和PDVT-10的分子结构
聚合物材料的π-π堆积距离对于解释有机半导体特性来说是一个重要的参数。中国科学院化学研究所有机固体实验室刘云圻课题组在北京同步辐射装置1W1A-漫散射实验站,采用掠入式X-射线衍射(GIXRD)解析了聚合物PDVT-8 和PDVT-10薄膜的堆积形态(图2)。两个聚合物的d-d分别为19.44 Å 和21.11 Å,π-π 分别为 3.72 Å 和3.66 Å。这一相对较小的d-d 和π-π堆积间距都是十分有利于载流子传输。另外,小的d-d堆积间距,使得聚合物骨架上的烷基链紧密的交错排列,从而有效的阻止了氧、水等不利于电子传输的物质的入侵。这是此材料有良好的空气稳定性和热稳定性的原因。
图2 (a) PDVT-8与PDVT-10薄膜材料的面外GIXRD数据;(b) PDVT-8与PDVT-10薄膜材料的面内GIXRD数据;(c) 聚合分子可能的排列模型。
柔性的有机场效应晶体管及倒相器制备成功,证明此材料在低成本、大面积加工的有机电子学中有着重要的潜在应用价值。相应的结果发表在国际著名杂志《先进材料》上(Adv. Mater. 2012, 24, 4618–4622),并被选为当期封面(图3)。
图3相关研究结果发表《先进材料》上并被选为封面文章