2016年7月14日至15日，中日SOI像素探测器研讨会在中科院高能所举行。高能所CEPC项目经理、欧阳群研究员，日本高能加速器研究机构（KEK）Junji Haba教授、Yasuo Arai教授，以及华中师范大学，中科院微电子所，日本大阪大学、金泽大学等高校和研究机构的相关领域专家、教授和学生共24人参加会议。　　 

　　欧阳群代表高能所致欢迎辞。CEPC项目经理向参会人员介绍了近期中国高能物理实验领域的主要成就和长远规划，强调了环形正负电子对撞机项目的重要性和探测器建造的挑战性。Yasuo Arai报告了SOI像素探测器的最新进展和应用成果。　　 

　　来自高能所、大阪大学和KEK的代表分别报告了环形正负电子对撞机、国际直线对撞机和超级KEK B工厂的顶点探测器方案，全面覆盖了芯片设计、模块组装和系统集成等关键环节。SOI像素探测器由于其高集成度和低物质量的优点，近年来成为未来对撞机实验顶点探测器的重要备选工艺，在国际上备受关注。高能所、KEK及大阪大学分别在环形正负电子对撞机和国际直线对撞机研制SOI像素芯片方面，力争在满足低功耗、低占有率的约束下获得小于3微米的极高空间分辨率。双方在工艺改进、芯片减薄、束流实验和抗辐射性能提高等研究课题存在广泛的共同兴趣和合作空间。 

　　来自KEK PF光源的代表报告了未来的同步辐射光源特点和先进同步辐射探测器的应用需求。中日双方在计数型SOI像素探测器的合作研究所取得的成果也在此次研讨会上得到全面展示。高能所卢云鹏副研究员报告了首个计数型SOI芯片CPIXTEG3b的成功研制和束流实验结果。Yasuo Arai教授介绍了最新的大面积计数型芯片CNPIX1（China-Japan PIX）设计。CNPIX1的主要指标在CPIXTEB3b的基础上有大幅度提升，是首款面向光源应用的计数型SOI工程化芯片。　　 

　　本次研讨会是继2013年以后第二次在高能所召开，日方代表由2013年4人增加到2016年的11人。会议在计数型SOI芯片合作研究的基础上，进一步拓展了未来正负电子对撞机实验的合作可能性。　　 

 参会人员合影

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