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高Q值超导腔研究取得新进展
2018-12-11|文章来源:加速器中心 北京高能锐新公司 |【
 

  在北京先进光源技术研发与测试平台建设中,中科院高能所不断开展高性能(高Q值、高梯度)超导腔的研究,通过优化超导腔的制造环节和步骤、表面处理和测试技术,近日,650MHz和1.3GHz超导腔(细晶)的研制取得了优异的结果。

  1.3GHz 1-cell超导腔完成了2.0K~1.6K温区的测试:加速梯度Eacc达到22.0MV/m时,Q0分别为1.4x1010(2.0K)和4.2x1010(1.6K)。在高能所以往研制的基础上又取得了新的进展。

  同时,在2.0K温度下,650 MHz 1-cell超导腔的加速梯度Eacc最高达到36.0MV/m,对应的峰值磁场Bpeak为171mT;加速梯度Eacc达到26.0MV/m时,Q0为5.1x1010,达到了环形正负电子对撞机(CEPC)650MHz超导腔的垂测指标要求(Q0=4.0x1010@Eacc=22.0 MV/m), 创历史新高,也与世界领先水平相当。

  下一步,课题组和加工厂家将总结和进一步优化研制步骤并固化流程,同时深入研究出现的问题,提高高Q超导腔量产的稳定性以最终达到工程的大批量、高性能需求。

1.3GHz 1-cell超导腔测试结果

650MHz 1-cell超导腔测试结果


 
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