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CEPC 650MHz 1-cell超导腔研发取得重要进展
2021-05-07|文章来源:射频超导和低温研究中心、加速器中心、工厂 |【
 

  4月30日,中科院高能所加速器中心研制的两只环形正负电子对撞机(CEPC) 650 MHz 1-cell超导腔(650S4、650S7)完成了垂直测试。测试结果显示:在2K温度下,650S4的品质因数Q值达到2.7E10@35MV/m,650S7的Q值达到3.6E10@32MV/m。该结果创造了国内低频率(<1GHz)椭球型超导腔加速梯度的最高记录,与世界领先水平相当。

  这两只650 MHz 1-cell超导腔的研发充分借鉴了之前高能所1.3 GHz超导腔研发的成功经验:650S4是一只细晶粒超导腔,采用了重化学抛光+轻电抛光的技术路线;650S7则是一只大晶粒超导腔,先采用柔性(流体)抛光处理了表面的缺陷,再进行轻电抛光处理。

  下一步,课题组将优化工艺,进一步提高650 MHz 1-cell超导腔(尤其是大晶粒)的加速梯度和品质因数,并从1-cell向2-cell推广。

  本项研究工作得到了先进光源研发与测试平台(PAPS)、CEPC预研项目的大力支持。

 

  CEPC 650 MHz 1-cell超导腔测试结果(fine grain,细晶粒。large grain,大晶粒)


 
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