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一种高二次电子发射系数的双层薄膜及其制备方法

  • 英文名称:The invention relates to a double-layer film with high secondary electron emission coefficient and a preparation method thereof
  • 专利号:ZL 202011422644.1
  • 专利类别:发明授权
  • 专利证书号:
  • 申请号:CN202011422644.1
  • 发明人:闫保军; 王玉漫; 刘术林; 温凯乐; 张斌婷; 谷建雨; 姚文静
  • 其它发明人:
  • 申请日期:2020-12-08
  • 授权日期:2022-07-08
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