一种高二次电子发射系数薄膜及其制备方法
- 英文名称：The invention relates to a high secondary electron emission coefficient film and a preparation method thereof
- 专利号：ZL 202011422992.9
- 专利类别：发明授权
- 专利证书号：
- 申请号：CN202011422992.9
- 发明人：王玉漫; 刘术林; 闫保军; 温凯乐; 张斌婷; 谷建雨; 姚文静
- 其它发明人：
- 申请日期：2020-12-08
- 授权日期：2022-03-08
