电介质吸波材料的缺陷工程与损耗能力探究

　　电介质吸波材料在电磁波吸收领域占有重要位置，但不同电介质材料的电损耗机制，以及其主导损耗机制，均存较多盲区，这就使得研究人员在设计吸波材料、研究损耗机理时缺乏强有力的理论支撑。南京航空航天大学的一个研究组对典型电介质材料的损耗机理进行了深入的研究，相关的研究成果发表在2019年5月8日的《Advanced Functional Materials》上。 

　　该研究组选取了两种典型的电介质吸波材料，金属氧化物半导体和石墨化碳材料。通过缺陷工程在两类电介质材料中引入点缺陷，继而通过调控点缺陷来修饰材料的电导和极化过程。电导率和极化的变化引起了材料电导损耗和介电极化的改变，再结合最终的介电行为，可以得出在不同的电介质材料中的主要损耗机制和主导损耗机制。 

　　利用北京同步辐射装置1W1B-XAFS实验站获得的NEXAFS谱分析了氮原子掺杂后碳原子周边的化学环境，通过对比三种不同的氮掺杂的碳原子的C边缘光谱吸收，发现氮原子掺杂后碳原子的化学状态变化明显，表明氮原子掺杂对石墨化碳的介电极化有着很大的作用。 

　　这个研究为探究电介质吸波材料的损耗机理提供了很好的借鉴，在同步辐射装置的支持下，后续定能对电介质吸波材料的损耗机理进行更加深入的研究和剖析。 

　　发表文章： 

　　B. Quan, W. H. Shi, S. J. H. Ong, X. C. Lu, P. L. Y. Wang, G. B. Ji, Y. F. Guo, L. R. Zheng, Z. C. J. Xu, DefectEngineering in Two Common Types of Dielectric Materials for ElectromagneticAbsorption Applications. Advanced Functional Materials, 2019, 29 (28), 1901236.