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2016年核探测与核电子学国家重点实验室学术年会成功召开
2016-05-18 | 【

  2016512-13日,核探测与核电子学国家重点实验室(下简称实验室)2016年学术年会在高能所举行,来自中国科学技术大学和高能所、以及与实验室有着长期合作的核探测与核电子学领域知名专家、学者及研究生代表90多人参加了会议。实验室管理委员会成员、高能所党委书记潘卫民研究员发表了讲话。 

  本届学术年会共有28个学术报告。内容涉及气体探测器、闪烁探测器、半导体硅像素探测器、先进读出电子学系统和大容量数据采集与处理系统等各个方面,充分显示了实验室2015年研究工作中所取得的丰硕成果,特别是半导体硅像素探测器和ASIC芯片研制在2015年有了重要突破,进展显著。报告人大部分是博士研究生和青年研究人员,展示了实验室年轻一代的风采。 

513日下午实验室学术委员会会议在高能所同期召开,陈和生院士主持会议。安琪教授总结汇报了过去一年取得的工作成果、实验室运行情况以及未来发展的五年规划。与会专家学者高度肯定了实验室过去一年的工作成果,对实验室的发展、学术规划、发展战略进行了热烈的讨论,并提出了宝贵的意见和建议。

 

   2016年实验室学术年会合影

 

       2016年实验室学术年会-会场

2016年实验室学术委员会委员合影 

 

 


核探测与核电子学国家重点实验室    
地址:北京市918信箱    邮编:100049    电话:86-10-88236054    Email: moyl@ihep.ac.cn