江晓山
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简 介
江晓山 男 1974年5月出生， 北京人。 1998年毕业于清华大学工程物理系。现为高能物理研究所研究员。 在BESIII主漂移室电子学的升级改造中核心设计人员，之后继续负责各种探测器电子学的研发工作。目前主要从事高密度、高速及高精度电子学方面的研究。
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