Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in Si crystal
- 联系作者：
- 刊物名称：PHYSICA B-CONDENSED MATTER
- 所属学科：
- 作者：Zhao, MS; Dong, JC; Chen, DL
- 发表年度：2017
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