Neutron-induced single event effect in Xilinx 16nm MPSoC configuration RAM (CRAM) using white neutron and 2.72∼81.8meV neutron in CSNS-BL20
- 联系作者：
- 刊物名称：JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY
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- 作者：Hu, ZL; Yang, WT; Zhou, B et al.
- 发表年度：2023
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