专用集成电路设计国际评审会在高能所召开
7月28日至31日，专用集成电路（ASIC）国际评审会在中科院高能所召开。
会议由高能所ASIC研究项目负责人王铮研究员主持，来自法国国家科研中心贝尔居里安多学科研究所（IPHC）、美国芝加哥大学、美国南方卫理公会大学（SMU）等知名研究机构的集成电路设计专家以及国内资深电子学专家出席了此次评审会。王贻芳常务副所长出席了会议并参与了相关的讨论。
ASIC具有性能好、功耗低、体积小等诸多优点，是高密度探测器的必须配套设备，在功耗、空间等有限制的场合也有着极为重要的应用价值。为期四天的报告和讨论，对高能所过去近四年来在ASIC研究方面的成果进行了全面的展示，对自主设计完成的多通道Wilkinson型ADC、逐次比较型ADC、GEM探测器前端读出ASIC及用于PET的前端读出ASIC等芯片的设计进行了全面、细致的评审。与会专家对现阶段高能所ASIC研究取得的进展予以了充分的肯定，同时明确指出了设计中存在的不足之处，并对今后高能所ASIC研究的方向、队伍建设等方面提出了宝贵的建议。
本次评审会坚定了我们ASIC研究的信心，也更加明确了今后的工作目标，达到了预期的效果。
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