2010年高能新闻
您当前的位置:首页 > 新闻动态 > 高能新闻 > 要闻 > 2010年高能新闻
第十届散裂中子源国际材料研讨会在京召开
文章来源:  2010-11-08
】 【】 【

  第10届散裂中子源国际材料研讨会于10月18日至22日在京举行。

  会议共有约70人参加,其中外宾45位,分别来自美国、日本、瑞士、德国、比利时、瑞典、立陶宛、法国、匈牙利等国家的从事散裂中子源及ADS方面研究的相关机构。来自中科院高能所、物理所、兰州近物所、等离子体所、固体所、中国原子能院、北京大学、北京科技大学等单位的国内相关专家也出席了会议。

  参会代表介绍了运行和在建的各散裂中子源装置的情况,就相关运行经验及发展建议等进行了讨论。会议还侧重讨论了高能质子环境下材料的辐照损伤、ADS相关材料问题特别是液态金属和结构材料的相容性问题、高功率散裂中子源靶面临的相关问题等,会议达到了预期的效果。这次会议对我国正在建设的中国散裂中子源和计划中的加速器驱动次临界系统的研究有很大的促进。

  高能所所长陈和生在会议开幕式上发表了简短讲话,他对与会各国专家的到来表示热烈欢迎,充分肯定了散裂中子源国际材料研讨会在过去几年中取得的成绩,并预祝本次研讨会成功召开,取得预期的成果。

  会议由瑞士保罗谢勒研究所(PSI)、美国洛斯阿拉莫斯国家实验室(Los Alamos)、日本原子能研究开发机构(JAEA)等联合主办,由中国散裂中子源项目承办。


附件下载:

地址:北京市918信箱 邮编:100049 电话:86-10-88235008 Email:ihep@ihep.ac.cn
中国科学院高能物理研究所 备案序号:京ICP备05002790号-1 文保网安备案号: 110402500050