SANS散射腔详细设计和制造工艺评审会召开
12月9日，中国散裂中子源小角散射谱仪（SANS）散射腔详细设计和制造工艺评审会在合肥聚能电物理高技术开发有限公司召开。
评审成员听取了SANS散射腔详细设计和制造工艺评审报告，并就内部导轨的精度、电机真空散热、现场安装等方面提出意见和建议。评委认为，SANS散射腔设计方案经过详细的分析计算，提出的改进建议满足项目要求；工艺方案可行，同意进行加工制造。下一步项目组将根据评审专家的意见进一步修改图纸，开始加工制造。
SANS散射腔是小角散射谱仪核心部件。内部为真空环境，真空度10Pa，主要用于放置二维位置灵敏He3管探测器阵列，内部设计运动机构、筒体屏蔽内衬和散射中子吸收阻挡屏，为探测器提供使用环境并尽可能压制本底。其整体包括：散射腔腔体、腔内壁的吸收层、腔内结构（探测器支撑及驱动、阻挡屏及驱动、束流阻挡器及驱动等部件）和腔体外围的附属零部件及导轨组件等。其中探测器阵列位于国际先进水平；新型硼铝复合材料是我国创新产品，世界上首次在散裂中子源上使用。
SANS散射腔腔体内径φ2200mm，中间筒体（直线）段长4115mm（不含封头），整个散射腔包括封头及锥筒全长5507mm，总重约9吨。内部组件均为执行部件，定位精度±0.1mm。整个腔体导轨运行，工作位重复定位精度±0.2mm。
评审会现场
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