CEPC 650MHz 1-cell超导腔研发取得重要进展
4月30日，中科院高能所加速器中心研制的两只环形正负电子对撞机(CEPC) 650 MHz 1-cell超导腔（650S4、650S7）完成了垂直测试。测试结果显示：在2K温度下，650S4的品质因数Q值达到2.7E10@35MV/m，650S7的Q值达到3.6E10@32MV/m。该结果创造了国内低频率（<1GHz）椭球型超导腔加速梯度的最高记录，与世界领先水平相当。
这两只650 MHz 1-cell超导腔的研发充分借鉴了之前高能所1.3 GHz超导腔研发的成功经验：650S4是一只细晶粒超导腔，采用了重化学抛光+轻电抛光的技术路线；650S7则是一只大晶粒超导腔，先采用柔性（流体）抛光处理了表面的缺陷，再进行轻电抛光处理。
下一步，课题组将优化工艺，进一步提高650 MHz 1-cell超导腔（尤其是大晶粒）的加速梯度和品质因数，并从1-cell向2-cell推广。
本项研究工作得到了先进光源研发与测试平台(PAPS)、CEPC预研项目的大力支持。
CEPC 650 MHz 1-cell超导腔测试结果（fine grain，细晶粒。large grain，大晶粒）
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