高能所到微电子所调研交流
9月7日，中科院高能所所长王贻芳、研究员王建春等一行7人到微电子研究所参观交流，并讨论未来的科研合作。
微电子所书记戴博伟对王贻芳一行表示欢迎，并介绍了微电子所基本情况、发展历程、科研布局。微电子所李萍处长、罗军研究员、王启东研究员、贾锐研究员、李博研究员、许高博研究员等介绍了高能所与微电子所双方在多个大科学装置项目上的合作成果。
高能所梁志均青年特聘研究员报告了高能所与微电子所合作研发国产低增益雪崩硅传感器（LGAD）的进展与在大型强子对撞机上高时间分辨探测器上的应用前景。另外，他还介绍了未来CEPC上像素探测器上研发需求与合作意向等。
在研讨会中，王贻芳回顾了发展国产硅探测器的历程，充分肯定了高能所与微电子所在研制同步辐射成像硅像素探测器与LGAD高时间分辨传感器上卓有成效的合作。
在未来两所科研合作方面，王贻芳提出使用国产先进半导体工艺（65纳米或以下）研发超高精度的像素探测器，该研究在未来CEPC与高能光源上将有广泛应用。另外，双方也在高能紫外光刻机光源（EUV）、大面积微通道板探测器、数模转换芯片上未来可能的合作领域进行了讨论。
王贻芳讲话
会议现场
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