一、采购人：中国科学院高能物理研究所
二、采购项目名称：CSNS磁控溅射设备
三、招标编号：C-T-10-08-16-34
四、资金来源及采购预算：财政性资金，已落实，采购预算85万元
五、项目工期：6个月
六、招标产品内容：
（一）项目名称：CSNS磁控溅射设备
（二）设备名称及数量：
1) CSNS磁控溅射设备，1套；
（三）项目简介：
本项目是对中国散裂中子源多功能反射谱仪（以下简称“RM”）系统中的磁控溅射设备进行的国内公开招标。
CSNS磁控溅射设备主要是为了制备各种纳米和微米金属及氧化物单层或多层膜，材料包括金属、半导体、或绝缘体薄膜，磁性或非磁性材料等。该设备可以用来实现在真空环境下对多样性的薄膜样品进行制备或再处理以及进行原位多场测量，满足用户的需求。
该设备由八靶镀膜室、三靶镀膜室、进样室、真空抽气和测量系统、磁控溅射靶组件、样品台组件、工作气路、电源和电控制系统等组成。
本项目招标人负责提供磁控溅射设备的相关技术要求；投标人负责该设备的方案和技术设计，工艺设计、控制系统的设计和采购、标准零部件的设计和采购以及机械加工、预安装、测试、包装、运输和在甲方现场安装，提供本项目所需的零部件和原材料（包括机械系统和电控制系统等），提供进行预安装和测试时所需的设备和场地以及在甲方现场安装所需的全套工具和工装，并对甲方的人员进行免费的技术培训等。
CSNS磁控溅射设备的进样室为侧开活门结构，真空状态下，可以通过样品传递机构将样品从进样室传递到两个镀膜室。
两个镀膜室材料为优质316不锈钢，电动上掀盖结构。每一个镀膜室包括样品台组件，磁控溅射靶组件，样品环境组件，真空抽气及真空测量系统，工作气路，电源和电控制系统。
主要技术指标见表1：
表1 CSNS磁控溅射设备主要技术指标和要求
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序号 |
项目 |
技术指标 |
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1 |
真空抽气系及测量系统 |
镀膜真空室极限真空度≤4x10-6Pa；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-10Pa.m3/S；停泵关机24小时后真空度≤1 Pa。 进样室极限真空度≤5x10-5Pa； 系统真空检漏漏率≤5.0x10-10Pa.m3/S；停泵关机24小时后真空度≤1 Pa。 分子泵选择北科仪或相当品牌；机械泵选择日本真空或相当品牌。 |
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2 |
镀膜室基本结构 |
圆筒型真空室，优质316不锈钢材料制造，电动上掀盖结构，采用氩弧焊接，表面进行化学抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封；可烘烤温度最高300C° 八靶镀膜室尺寸不小于直径φ650mmx400（H）；三靶镀膜室尺寸不小于直径φ450mmx450mm（H）。 |
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3 |
八靶镀膜室样品台组件 |
（1）基片可连续回转，转速5～10转/分；可做高定位精度蠕动，移动精度0.1mm。基片尺寸为48mmx48mm。样品台上放置的基片数量最大化； （2）基片可加0~-200伏负偏压，基片加热最高温度600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制，程序控温； （3）基片可做低温沉积； （4）设置手动控制薄膜厚度测量组件； （5）靶材和基片的距离手动可调。 （6)动密封选择杭州大和或相当质量产品。 |
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4 |
八靶镀膜室溅射靶组件 |
磁控溅射靶采用水冷系统进行冷却；设置靶挡板机构，防止靶材交叉污染，电动控制，并有具体设计；可以兼容（甲方已有）射频和直流电源，并进行一对多切换。 |
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5 |
三靶镀膜室样品台组件 |
（1） 基片尺寸48mm×48mm； （2） 基片可自转，转速5～10转/分； （3） 基片可加热最高温度800°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制，程序控温； （4） 设置手动控制薄膜厚度测量组件； （5） 可加0~-200伏的负偏压。 |
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6 |
三靶镀膜室溅射靶组件 |
磁控溅射靶采用水冷系统进行冷却；具有三靶共溅射功能。可以兼容（甲方已有的）射频和直流电源,并进行一对多切换；靶材和基片的距离手动可调。设置靶挡板机构，防止靶材交叉污染。 |
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7 |
镀膜室工作气路 |
八靶镀膜室三个工作气路，三靶镀膜室另有独立的三路工作气路。均通过质量流量控制器，角阀、进气截止阀、进口1/4英寸管路和接头等进行控制。 质量流量控制器选择MKS或相当品牌。 |
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8 |
进样室 |
样品库1个，样品库中可以放置样品的数量8个； 设置有样品传递机构。可以将样品传递到八靶镀膜室和三靶镀膜室； 传递机构在垂直和角度可调适当调整。使样品准确的传递到镀膜室的样品台上。 进样室尺寸不小于直径φ350mmX450mm（L） |
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9 |
水冷系统 |
冷却循环水机一台，制冷量功率不小于5kw。 |
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10 |
电源和电控制系统组件 |
（1）计算机设备控制系统1套； （2）电源机柜一组，总控制电源为分子泵、机械泵、电磁阀、升降电机、真空计等提供电源，有断电保护功能；水流报警系统，要求对分子泵、磁控靶有断水报警切断相应电源功能。其他设备由相应电源单独供电； （3）进样室、八靶镀膜室和三靶镀膜室具有独立的高低真空测量和控制以及电控制或样品预处理系统若干套。 |
七、投标资格：
本项目为国内公开招标，要求投标人资格条件如下：
（1）政府采购法第二十二条规定的资格条件。
（2）投标人应为在中华人民共和国境内合法注册的法人或其他组织，须具有必要的生产设备和生产场地，有自主完成本项目加工、安装和测试的能力。
（3）近五年曾经承担过与本招标项目相类似的项目。
（4）在采购人处登记并购买标书
（5）本项目不接受联合体投标。
八、招标文件发售时间：2016年10月26日～2016年11月3日（公休日除外）
每天9:00～11:00、14:00～16:30（北京时间）
九、招标文件发售地点：广东省东莞市大朗镇中子源路1号散裂中子源区A2-201室（装置办）
十、招标文件购买方式：
招标文件每套500元人民币（招标文件仅提供电子版，购买时请携带U盘），招标文件售出不退。
购买方式可上门购买；也可电汇标书费以邮件方式联系购买，采用邮件方式购买的，请将银行出具的标书汇款回单、投标人名称、住所、联系人及电话、E-mail地址等信息用E-mail形式发送至jianglj@ihep.ac.cn。我们收到邮件后会立即将招标文件电子版用E-mail发给您。
投标时将收取1万元的投标保证金。
注意：投标单位购买招标文件时请携带单位介绍信(盖公章)备查。请在介绍信上注明单位全称及其地址、邮编；联系人及其联系方法（包括手机、电话、传真、E-mail地址等）或提供购买人个人名片以便联系。
十一、投标截止时间：北京时间2016年 11月14日下午2:00
十二、投标文件递交地点：东莞市大朗镇中子源路1号散裂中子源区A2-201室（装置办）
十三、开标时间：北京时间2016年11月14日下午2:00
十四、本项目联系方式：联 系 人：江丽君
Email：jianglj@ihep.ac.cn
电 话：0769-89156300
全 称：中国科学院高能物理研究所
开户银行：中国工商银行北京永定路支行
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