一、采购人：中国科学院高能物理研究所
二、采购项目名称：TSV及3D探测模块组装技术研发
三、招标编号：HEPSTF-B8-030104-16-010
四、招标产品内容：
（一）设备名称：TSV及3D探测模块组装技术研发
（二）数量：共2套，分两个标包，每包一套
（三）采购预算：160万元，每包80万
（四）项目简介：
1、项目概要
高能同步光源验证装置（简称“HEPS-TF”）项目是我国“十二五”器件重点建设的大科学装置，其目的是根据高能同步辐射装置的设计目标及建设需求，通过分析各部分的关键技术和难点，提炼出可能制约未来建设以及进一步发展的核心关键技术，在验证装置中进行充分的研究和工程验证，保证高能同步辐射装置的顺利建设、运行和未来发展的需要。
二维像素阵列探测器系统是HEPS-TF装置子系统之一，它采用混合型像素探测器结构。本招标项目将对可用于二维像素阵列探测器的TSV技术以及3D探测模块组装技术进行招标。甲方将以晶圆形式提供体硅像素传感器以及读出芯片，提供前端印刷电路板，并提供倒装焊阵列尺寸和分布图纸，读出芯片和电路板引脚定义和扇出图纸。乙方需以倒装焊方式完成单片传感器和多片读出芯片的点阵式互联，并且以TSV的方式完成芯片引脚的引出，最终以回流焊的方式完成探测模组同电路板的连接。
本次招标要求完成全部组装流程的技术研发，并在乙方现场完成良率检测和电性能测试。如测试合格，则将以此技术开展后续批量生产任务。
2、主要技术指标
TSV及3D探测模块组装技术研发的主要技术指标见表1。
表1 TSV及3D探测模块组装技术研发主要技术指标
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序号 |
技术要求 |
指标要求 |
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1 |
硅通孔制作圆片尺寸 |
8英寸 |
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2 |
硅通孔直径 |
10mm |
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3 |
硅通孔孔铜厚度 |
孔内全填充 |
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4 |
孔壁绝缘层厚度 |
300nm |
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硅通孔深宽比 |
4:1~5:1 |
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5 |
RDL制作圆片尺寸 |
8英寸 |
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6 |
RDL布线层数 |
2层 |
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RDL线宽/线距 |
10微米/10微米 |
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RDL布线厚度 |
3mm |
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7 |
RDL介质层厚度 |
4mm |
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金属凸点直径（边长） |
25~30微米 |
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8 |
金属凸点高度 |
10mm |
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9 |
三维组装 |
组装温度280°C以下，不超过30分钟 |
其他要求：
（1）完成数量：32个模组，坏点率小于0.1%
（2）完成时间：自合同签订起12个月内
（五）标包划分：
本招标项目划分为两个包进行，两个包招标内容完全相同，即每个包的招标内容为32个模组。因该项目属于预制研究的性质，为了分散采购风险，两个包的中标人根据评标方法的规定不能为同一投标人。
五、投标资格：
（1）政府采购法第二十二条规定的资格条件。
（2）具有必要的生产设备和生产场地，有完成本项目加工、集成和检验测试的能力。
（3）具有类似项目研发的业绩，需提供可以证明具有生产研发业绩的材料。
（4）本项目不接受联合体投标。
（5）产品的生产地点必须为中华人民共和国境内。
（6）按本招标公告规定方式购买招标文件并登记。
六、招标文件发售时间：2016年 11月17日～2016年 11月25日（公休日除外）
每天9:00～11:00、14:00～16:30（北京时间）
七、招标文件发售地点：北京市石景山区玉泉路19号乙院（高能所）主楼A135室（大装置管理中心）
八、招标文件购买方式：
招标文件每套500元人民币（含招标文件电子版，购买时请携带U盘），招标文件售出不退。
如需邮购，请电汇标书费（500元）。款项（500元人民币）汇出后，请将银行出具的汇款回单、投标人名称、特快专递地址、E-mail地址等信息发邮件至xull@ihep.ac.cn。我们收到邮件后会立即将招标文件电子版用E-mail发给您。
投标时将收取不少于16000元的投标保证金。
注意：投标单位购买招标文件时请携带单位介绍信(盖公章)备查。请在介绍信上注明单位全称及其地址、邮编；联系人及其联系方法（包括手机、电话、传真、E-mail地址等）或提供购买人个人名片以便联系。
九、投标截止时间：北京时间2016年12月9日上午9:00
十、投标文件递交地点：北京市石景山区玉泉路19号乙院（高能所）主楼A419室（大装置管理中心）
十一、开标时间：北京时间2016年12月9日上午9:00
十二、本项目联系方式：联 系 人：徐乐乐
Email：xull@ihep.ac.cn
电 话：010-88236304
全 称：中国科学院高能物理研究所
开户银行：中国工商银行北京永定路支行
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