首届半导体辐射探测器研讨会召开
4月27日至28日，首届半导体辐射探测器研讨会在中国科学院高能物理研究所召开。
会议由核探测与核电子学国家重点实验室主办，核探测与核电子学国家重点实验室朱科军副主任致欢迎词。他表示，本次会议的召开是国内半导体探测器研究领域的一件大事，它将会对国内同行的交流与合作起到了积极和重要的推动作用。此外，他还介绍了国家重点实验的运行机制、研究方向布局以及科研测试开放平台等情况，并期待着与国内同行开展更多的交流与合作。
会上，高能所张万昌研究员、湘潭大学李正教授、中山大学黄丰教授分别就硅平面工艺、三维新结构硅传感器及新型半导体材料氧化锌的最新研究进展作了综述报告；清华大学邓智副教授作了低噪声前端集成电子学设计研究进展的综述报告；会议还特别邀请西北核技术研究所王忠明研究员介绍国内辐射效应模拟装置的基本情况。在为期两天的会议中，数十位专家学者就半导体探测器及其读出电子学、半导体探测器应用等方面报告了最新的研究成果，讨论气氛热烈。
参加本次会议的有来自高能所、中国科学技术大学、中科院近代物理研究所、中科院紫金山天文台、西北核技术研究所、中山大学、清华大学、西北工业大学、山东大学、中山大学、湘潭大学、华中师范大学、华北电力大学、中物院流体物理研究所、西华师范大学、南京航空航天大学、山东航天电子技术研究所等十多个单位的80多位专家。会议决定下一届半导体辐射探测器研讨会将由湘潭大学承办。本次研讨会对增进国内半导体探测器研究方面的技术交流，推动相关单位间开展合作、提高技术水平具有重要意义。
参会人员合影
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