第二届国内二次电子发射特性研讨会在东莞分部召开
5月6日至8日，第二届国内二次电子发射特性研讨会在东莞分部召开。来自西安交通大学、中国科学技术大学、电子科技大学、华南理工大学、重庆大学、STAIB公司及高能所等单位的近40余名专家学者参加了会议。
中国散裂中子源（CSNS）工程副经理傅世年研究员在会议开幕致词中说，CSNS工程建设已通过中科院组织的工艺鉴定和工艺验收，将于今年上半年按期通过国家验收，现正在积极进行用户发展；二次电子发射现象在加速器中研究较多，包括电子云效应，高频腔二次电子倍增抑制、高功率陶瓷窗二次电子倍增抑制等，同时高能所在光电倍增效应方面也研究较多，例如江门中微子项目中的光电倍增管研发应用等。他表示，希望与会专家与高能所共同携手，在二次电子发射领域取得新的研究成果。
本次会议吸引了国内多位二次电子发射领域的专家，对各自研究领域进行了充分交流、相互了解了最新研究成果。二次电子研究的领域得到了进一步扩展，在航天材料、绝缘材料、半导体材料、涂层镀膜特性、材料表面处理工艺等都有所涉及。
参会学者还先后参观了CSNS工程沙盘、环隧道、环中控室、靶站大厅、测2试验大厅等，第一次近距离感受到了CSNS加速器的实体结构，增强了对国家重大科技研究基础设施的了解。
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