加速器中心第十三期青年论坛举办
8月28日下午，加速器中心第十三期青年论坛在主楼C407成功举办。本次青年论坛邀请到沙鹏副研究员，为大家讲述报告超导腔掺氮技术研究。加速器中心党总支书记岳军会致开场词，并代表中心的广大青年对沙鹏分享超导腔掺氮技术表示热烈欢迎。
沙鹏从国内外超导腔掺氮研究现状，掺氮对超导腔性能的影响，超导腔掺氮的理论原理，高能所在超导腔掺氮方面取得的进展等方面对超导腔掺氮技术进行了全面的介绍。沙鹏谈到，美国费米实验室于2012年首先发现超导腔经过掺氮（N-doping）后，Q值明显提高，此后世界上各大加速器实验室纷纷开展超导腔掺氮的研究。目前，1.3 GHz超导腔经过掺氮，Q值在2 K下已经达到了4*1010，比掺氮前提高了约2倍。因此，美国在建的LCLS-II加速器率先采用了超导腔掺氮技术；国内已经开建的SHINE加速器也准备采用这一技术。此外，未来的国际直线对撞机ILC和环形正负电子对撞机CEPC也计划采用掺氮超导腔，超导腔掺氮技术在后期应用逐步提升。
报告结束后，大家对掺氮的理论依据，掺氮技术和真空镀膜技术的区别，掺氮的技术难点以及目前掺氮遇到的问题等与沙鹏交换看法，分享感言。论坛氛围热烈，广大青年收益颇深。
论坛现场
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